矽晶圓

將晶棒切成指定厚度的晶片

將切片時晶片所沾附的稀泥、殘膠、有機物清洗乾淨

將晶片邊圓加工，已去除邊的微裂，讓客戶應用時不會應力機中造成破片

已機械力同時磨除晶片雙面，已達到最佳的平坦度

將磨平時，晶片所沾附的稀泥與有機物清洗乾淨

移除前站機械加工所造成的損傷層，釋放晶片內的機械應力

使用熱處理來移除假性電阻，使電阻測試值正確且穩定

於晶片背面，利用噴砂耐磨/poly的方式提供背面一個機械應力場，用來吸附正面的金屬雜質，可以使客戶後續應用更有保障

將晶片背面以均匀的氧化矽膜包覆,，使晶片在高溫製程中，不會從背面釋放出不必要的雜質，而污染了正面的元件層

使用化學機械方式，將晶片面加工成鏡面，已供客戶使用

將拋光蝕晶片沾附的化學液、微粒、金屬離子清洗乾淨

確認晶片的電阻與平坦度符合規格

使用適當燈具進行晶片表面檢查，確保晶片沒有微粒、刮傷、缺角等缺陷

將晶片進行最後的清洗，確保洗除所有前製程帶來的微粒與金屬離子汙染

針對拋光面進行雷射掃描，確認面內缺陷的數量符合客戶的需求